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GaN是一种新型的半导体材料，它是氮和镓的化合物，也是一种宽禁带半导体材料。GaN具备带隙大（3.4eV）、绝缘破坏电场大（2×106V/cm）及饱和漂移速度大（2.7×107cm/s）等特点,能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。氮化镓通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。
碳化硅是一种宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高热导率、低导通电阻等特性，如今已经广泛应用于多个领域。当下电机行业有哪些技术发展方向和趋势？如何把握电机领域新产品、新技术、新解决方案？
随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降，其应用情况将会发生明显变化。
第三代半导体材料是近年来迅速发展起来的以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。
