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随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降，其应用情况将会发生明显变化。
第三代半导体材料是近年来迅速发展起来的以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。
