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IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF利用IR的薄晶圆场站的Trench技术,显着地降低了开关损耗和传导损耗,提供更高的功率密度和更高的效率,更高的频率。共同封装二极管和DPAK和D2PAK封装,新的IGBT额定电流为6A和最小的短路额定值≥5μs的特征。