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2013年5月2日，德国纽必堡/德累斯顿与新加坡讯——英飞凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微控制器(MCU)的经验，进行相关技术的开发。GLOBALF
日前，北京 — Altera公司 (NASDAQ: ALTR)与台积公司今日共同宣布在55纳米嵌入式闪存 (EmbFlash) 工艺技术上展开合作，Altera公司将采用台积公司的55纳米前沿嵌入式闪存工艺技术生产可程序器件，广泛支持汽车及工业等各类市场的多种低功耗、大批量应用。
Altera公司将采用台积公司的55纳米前沿嵌入式闪存工艺技术生产可程序器件，广泛支持汽车及工业等各类市场的多种低功耗、大批量应用。
华虹NEC的0.13微米嵌入式闪存工艺发展取得进一步成果 世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今天宣布，与多家智能卡行业龙头设计公司的合作顺利进行。基于华虹NEC的0.13微米嵌入式闪存工艺（“EF130”）生产的SIM卡产品完成产品的可靠性测试并进入量产阶段，从而使EF130工艺的发展进入一个新的阶段。
