搜索结果:找到 “关键字” 相关内容 5个, 当前显示 10 条,共 1 页
受到NEC电子与瑞萨科技(Renesas Technology)合并及美光(Micron)购并恒忆(Numonyx)的影响,2010年前十大半导体排名将剧烈变动。根据Gartner初步预估,新的瑞萨电子(Renesas Electronics)与美光将首度跻身前十大半导体商之列,并间接冲击到意法半导体(ST)与高通(Qualcomm)的排名,而2009年第一次进入前十大的超微(AMD)更因而被挤出
期相变化内存(PCMorPRAM)市场战况火热,继三星电子(SamsungElectronics) 宣布将相变化内存用在智能型手机(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片问世后,恒忆(Numonyx)也宣布推出针对PC、消费性电子和通讯市场使用的相变化内存新品牌Omneo,采用90奈米制程,容量达128Mb,随着国际大厂接连发动攻势,让原本冷门的相变化内存市场一
相变存储 (PCM) 是一项结合了现今多种存储产品类型的不同优点的非易失性内存技术,恒忆 (Numonyx) 与英特尔 (Intel) 今天宣布双方在该领域得研究中取得关键性突破。研究人员得以首次演示能够在单一芯片堆栈多层 PCM 阵列的 64Mb 测试芯片,对于随机存取非易失性存储器及存储应用而言,这些发现有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存储装置。
恒忆,三星电子,合作开发 PCM 恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory,PCM) 产品的市场规格,此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求,从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统*、高级运算装置的制造商应对设计挑战。制定针对PCM 产品的通用
恒忆 (Numonyx) 推出低价低功耗 DDR 接口非挥发性 RAM 产品Numonyx™ Velocity LP™ NV RAM