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碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，具有宽禁带的特性，从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频应用场景。
告别漫长充电等待，800V超充技术革新升级！在2024'中国电子热点解决方案创新峰会上，英博尔电驱CTO刘宏鑫、纳微半导体技术营销经理肖开祥和致茂电子资深经理朱明星，就800超充技术的充电桩、车载电源及第三代半导体材料的应用等问题表达了自己的看法。
截至目前，第三代半导体材料的应用已经进入人们的日常工作和生活当中，特别是GaN和SiC。未来，除了PD快充和新能源汽车等热门应用市场，国产的GaN和SiC材料应用将会有新的市场逐步出现。
在生产制作电子元器件过程中，绝对少不了半导体材料，而功率器件则是其中一种，只不过，它与第一代半导体材料，例如Ge、Si ，第二代半导体材料，例如GaAs，不尽相同，它被称为第三代半导体材料，更多被用于微波器、雷达、电台等领域，但功率器件有什么特性呢？看完你就了解了。
业内人士指出，相较于第一、二代半导体，第三代半导体材料处于发展初期。国内企业和国际巨头基本处于同一起跑线。随着5G、新能源汽车的快速发展，我国第三代半导体也将全面爆发。
在去年12月6日，我国三大运营商的频谱划分已经尘埃落定。而就在今年，工信部也决定发放临时招牌，5G正式进行预商用，并且预计2020年商用。无疑今年是5G的关键年。而第三代半导体材料GaN作为5G基站的关键材料或将涌现新活力。
第三代半导体材料是近年来迅速发展起来的以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。
在当今日美垄断LED芯片核心技术的格局下，中国LED企业如何打破格局，完成技术攻坚，促进LED发展显得尤为重要。目前，LED衬底类别包括蓝宝石、碳化硅、硅以及被称为第三代半导体材料的氮化镓。
