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联电14奈米(nm)鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14奈米FinFET制程技术，预计效能可较现今28奈米制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子IC制造商机。
