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英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
目前，国内光伏电站以及大多数的分布式光伏项目主要采用500kW光伏逆变器，其核心技术是功率变换的效率。而目前业界公认最好的解决方案是采用英飞凌的第四代IGBT4的PrimePACK™3 封装的模块。PrimePACK™3拥有低寄生电感，低热阻等特点，充分发挥了第四代构槽栅场终止技术 FieldStop IGBT芯片的低损耗的优势。
IGBT芯片，即“绝缘栅双极型晶体管芯片”，是新一代功率半导体器件。工作中，通过调整栅极电压的大小和极性，可改变相关控制器的开通与关闭。该产品广泛应用于轨道交通、智能电网、风力发电、太阳能发电、船舶驱动、电动汽车、工业变流、航空航天以及化工冶金等众多重要行业和领域。
12月19日，大比特将于苏州书香世家平江府酒店举办第三节光伏逆变器关键元器件技术与应用研讨会。届时，Infineon工业功率器件产品经理陈子颖将为参会工程师带来主题为《IGBT芯片技术与能源效率》的演讲。
目前国内IGBT的主要供应商为外国厂商，为支持我国企业技术突围，IGBT成为国家产业政策重点支持和扶植的重大科技项目。中国南车大功率IGBT产业化基地建设项目，总投资14亿元，预计2013年正式投产。建成后，该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力，年产值超过25亿元，其产业规模和技术实力均达到国际领先水平。产品满足轨道交通以及电动汽车、风力发电、太阳能发电、
12月14日，具有世界最先进水平的首批最大功率IGBT产品在中国北车永济电机公司成功下线，使企业成为世界第四个、国内第一个能够封装6500V以上电压等级IGBT的厂家。这标志着我国与世界发达国家站在同一技术平台，自主研发IGBT芯片产业化步伐进一步加快。
近日，中国南车在英国林肯丹尼克斯公司成立了半导体研发中心，并举行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片线开通仪式，为实现功率半导体器件世界第一的战略目标奠定了更加坚实的基础。
