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ZnO压敏变阻器具有良好的非线性伏安特性，可用来抑制瞬态过电压和吸收浪涌电压，被广泛应用于电子线路和电力系统。然而，传统ZnO-Bi2O3，ZnO-V2O5，ZnO-Pr6O11系压敏变阻器存在元素易挥发、与Ag-Pd电极反应、非线性系数低、有毒等不利因素，因此研发新型高性能ZnO压敏变阻器显得十分必要。
氧化锌（ZnO）压敏陶瓷作为金属氧化物避雷器的核心材料，在电力设备过电压防护领域得到广泛应用。ZnO压敏陶瓷中的各类缺陷对其非线性伏安特性、电位梯度、通流能力等性能有着重要影响，通过掺杂、晶粒尺寸控制、表面处理等手段调控缺陷结构以改善其电性能，是ZnO压敏陶瓷一直以来的研究热点。
激光研磨/清洗是应用激光束与物质相互作用的特性对材料进行切削、表面处理、微加工，是一种无污染、减少材料消耗的新兴技术。文章示出正在进行激光研磨/清洗的ZnO非线性电阻片。
采用ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方体系，制备了氧化锌线性电阻。通过改变氧化锌瓷料粉末的煅烧条件以及瓷体的烧结温度，详细研究氧化锌陶瓷线性电阻的温度系数和电阻率变化规律。实验数据显示，氧化锌煅烧温度为1000 ℃，瓷体烧结温度为1240 ℃时，电阻片的电阻率为1165 Ω·cm。
研究了铝离子、铟离子共同掺杂对ZnO压敏电阻的微观结构和电学性能的影响。通过X射线衍射、扫描电子显微镜对微观结构进行了表征，通过电流-电压测试、脉冲电流冲击测试和电容-电压测试对电性能进行了评估。
在ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷材料中掺入适量B4C，成功在840 ℃温度下烧结成致密陶瓷。实验研究发现，B4C的助烧作用归因于B4C在烧结升温过程中分解，生成了氧化硼，而氧化硼是良好的烧结助剂。B4C在500℃以下化学性质稳定，添加B4C作为硼源可以避免添加氧化硼、硼酸等硼源对压敏陶瓷材料制备过程的不利影响。
本文采用传统的ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方体系氧化锌线性电阻，探究了烧结温度对氧化锌基线性电阻的电阻温度系数和微观结构的影响。
磁控溅射是近年来得到广泛应用的成膜方法，相比于目前电压敏行业中广泛采用的烧银电极，溅射膜电极具有膜层致密，厚度均匀，附着性强等优点。溅射膜电极不管从生产工艺上还是膜层质量上，都显现出传统的烧银电极不可比较的优越性，采用磁控溅射制备ZnO压敏电阻电极，将是今后陶瓷金属化的主流技术。
两步烧结有利于获得小晶粒、高电位梯度的氧化锌压敏陶瓷，但其两步的温度分别对氧化锌压敏陶瓷烧结过程的影响尚不清楚。本文采用两步法在不同温度下烧结ZnO压敏陶瓷，分析不同温度对氧化锌陶瓷的微观结构与电学性能的影响。
氧化锌陶瓷电阻是由ZnO晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体，无高阻晶界层。它具有线性的电压—电流特性，电阻率可调，电阻温度系数小且为正，耐浪涌能量大。本文讨论了氧化锌陶瓷电阻的性能，以及性能与配方、工艺的关系，探讨了氧化锌陶瓷电阻的微观结构和导电模型。
