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嵌入式非挥发性内存领导厂商力旺电子日前宣布，多次可程序(Multiple Times Programmable， MTP) 嵌入式非挥发性内存NeoEE技术已打入BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工艺平台，并积极与台系及美系重量级专业液晶显屏电源管理芯片设计公司进行合作，已成功将NeoEE硅智财应用于P-Gamma芯片(可编程伽玛校正缓冲电路芯片)解决方案，且藉由BCD工艺平台，加速促
嵌入式非挥发性内存厂商力旺电子日前宣布，正式推出全新反熔丝架构之嵌入式非挥发性内存技术NeoFuse，此技术瞄准先进工艺平台，具备硅智财组件尺寸小与保存能力佳等特点，可满足客户产品在先进工艺产品之进阶需求。
中国上海，2011年3月——上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首个产品已经成功量产。该OTP 制程结合了力旺电子的绿能OTP解决方案和宏力半导体自身的0.18微米技术节点，在使用较少光罩层数的同时，创造了业内OTP最小单元尺寸(cell size)的记录。
