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经过3年的探索、研发和验证，凌鸥创芯推出了车规MCU芯片产品LKS32AT085，通过了AEC-Q100认证，同系列还包含有集成200V预驱的AT086，以及全集成8个MOSFET的驱动MCU AT089，可为国产汽车同时提供MCU控制芯片以及更多集成功率元件布局的完整汽车MCU芯片供应。
目前，电动汽车和工业马达的可变速马达驱动系统，其低损耗·高效率·高频率的性能正在不断进化。因为使用了以低电阻、高速开关为特点的SiC和GaN等新型功率元件的PWM变频器和AC/DC转换器、DC/DC转换器，其应用系统的普及正在不断加速。
以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制，并能使逆并联二极管与IGBT配合。本文将介绍如何利用全桥逆变器拓扑及选用合适的IGBT，使太阳能应用的功耗降至最低。
SiC功率元件具高频和耐高温特性，不仅可较传统硅功率半导体，提供更高的电源转换效率，更可减少所需的电容和感测器数量，已吸引愈来愈多太阳能逆变器制造商青睐。
碳化硅(SiC)功率元件正快速在太阳能(PV)逆变器应用市场攻城掠地。SiC功率元件具高频和耐高温特性，不仅可较传统硅功率半导体，提供更高的电源转换效率，更可减少所需的电容和感测器数量，已吸引愈来愈多太阳能逆变器制造商青睐。
Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后，日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品，还有不少企业宣布涉足功率元件业务。
预计在15～20年以后，纯电动汽车(EV)与混合动力车(HEV)的需求将达到数千万辆。这将会改变功率模块的设计和业界格局。丰田凭借自身的混合动力车引领了功率电子器件封装的进化。其他汽车企业也紧随其后，促使英飞凌、丹佛斯、赛米控、富士电机等企业的封装技术取得了进步。而且，技术的发展给相关市场带来了好处。
Diodes公司推出4款全极(omnipolar)霍尔效应开关，其磁场检测的灵敏度适合多种产品设计的接近效应与位置检测功能。这些微功率元件也为电池及低功率操作进行了优化，在3V供电下一般仅消耗24 µW。
如今市场上先进功率元件的种类数不胜数，工程人员要为一项应用选择到合适的功率元件，的确是一项艰巨的工作。就以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制，并能使逆并联二极管与IGBT配合。本文将介绍如果利用全桥逆变器拓扑及选用合适的IGBT，使太阳能应用的功耗降至最低。
目前国内市场上，中小功率的交流伺服器普遍采用“交—直—交”变压变频拓扑结构。交流电源整流为直流，直流经可控的功率元件逆变为电机所需的三相电[1]。其中，交流电源的输入一般为3相220v(相间电压为220v)。
