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本文主要介绍了三极管，三极管全称是半导体三极管，也被称为双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体元器件。
英飞凌科技股份公司(法兰克福股票交易所股票代码：IFX / 美国柜台交易市场股票代码：IFNNY)推出单片集成逆导二极管的20A 1350V器件，再次扩充逆导(RC) 软开关IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列的扩展，重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。
IGBT芯片，即“绝缘栅双极型晶体管芯片”，是新一代功率半导体器件。工作中，通过调整栅极电压的大小和极性，可改变相关控制器的开通与关闭。该产品广泛应用于轨道交通、智能电网、风力发电、太阳能发电、船舶驱动、电动汽车、工业变流、航空航天以及化工冶金等众多重要行业和领域。
据IHSiSuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告，由于绿色能源与能源效率得到更多的重视，以及政府投资支持和严格的能源政策，2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场销售额的复合年度增长率将达13%。2011年IGBT销售额将达到8.59亿美元，2015年有望达到13亿美元。
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行业首款采用了DFN0806-3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48mm2，离板厚度仅0.4mm，面积比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封装的同类型器件少20%。
目前市场上开关电源中功率管多采用双极型晶体管，开关频率可达几十kHz;采用MOSFET的开关电源转换频率可达几百kHz.为提高开关频率必须采用高速开关器件。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 4 月8日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上，容量从0.047µF到10µF，可在+105℃高温下工作，有7
IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF，以此拓展绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 系列。全新600V超高速沟道IGBT能够为洗衣机和冰箱等家电与轻工业电机驱动应用提升性能及效率。
