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牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件，功率级别可达 150kW 或更高。牵引逆变器的效率和性能直接影响电动汽车单次充电后的行驶里程。因此，为了构建下一代牵引逆变器系统，业界广泛采用碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 来实现更高的可靠性、效率和功率密度。
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世，电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚，分别为栅极(Gate)，漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。
2018年10月29日，北京讯 - 德州仪器(TI)近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓(GaN)，50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比，LMG341x系列使设计人员能够创建更小、更高效和更高性能的设计。
中国，北京-2016年9月22日-Silicon Labs(亦名“芯科科技”，NASDAQ: SLAB)日前推出了基于CMOS技术的突破性隔离型场效应晶体管(FET)驱动器家族产品，这使得开发人员能够使用自己选择的特定应用和高容量的FET去替代过时的机电继电器(EMR)和基于光耦合器的固态继电器(SSR)。
全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。
宜普公司在二零一三年五月宣布推出全功能降压电源转换演示板(EPC9107)。该板展示输入电压为9V至28V、当电源电压为3.3V时可提供15 A的电流的1 MHz降压转换器，内含EPC2015氮化镓场效应晶体管，并配合德州仪器公司的100 V半桥栅极驱动器(LM5113)。当使用了这个专为驱动氮化镓晶体管而设的驱动器，EPC9107 展示具有高开关频率的氮化镓场效应晶体可实现缩小尺寸及提高性能等优
东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布，该公司已经推出了用于继电器驱动器的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)"SSM3K337R"。这款新设备使用一种有源箝位结构，可以预防继电器电感负载关闭时的过电压。该产品的样品已经推出，并定于9月开始批量生产。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出内含增强型氮化镓场场效应晶体管的EPC9005开发板，展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器可帮助工程师简单地及以低成本从硅器件转而采用氮化镓技术。
