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这对增强模式 MOSFET 的 Vds 为 40V，使其可适用于控制冷却、排气扇、泵、压缩机及打印头的 24V 直流电机系统。当 Vgs 为 10V 时，这对互补MOSFET 的导通电阻低至 25mΩ，因此可有效限制传导损耗，从而减少功耗并增加整体产品效率。
MOSFET封装，节省占板空间，提高充电器性能 Diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020两种封装以供选择。DMP2160UFDB则把两个相同的MOSFET组合封装成DFN2020形式。
