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RFaxis， Inc日前宣布，该公司的单刀三掷(SP3T)开关RFX333已投入量产。这款开关专为用于智能型手机、平板计算机等行动装置的2.4GHz Wi-Fi/Bluetooth组合芯片而最佳化。RFX333采用业界最具成本效益优势的bulk CMOS技术研发和生产，可与当前市场上采用的使用昂贵的砷化镓(GaAs)或绝缘硅片(SOI)制程的现行解决方案实现引脚兼容。
派更半导体新近推出的高频与高功率系列产品，正在帮助测量设备实现新一轮的升级换代。首先，单刀双掷开关PE42520和PE42521为测量使用的高频CMOS RF开关设定了新的性能标杆(参见图1)。基于派更半导体的Ultra CMOS技术的核心竞争力，它们的工作频率可以高达13GHz，承受+36dBm的高功率，从而可以达到以往常规CMOS难以达到的水平。
高性能射频集成电路(RFIC)的无晶圆供应商Peregrine Semiconductor Corporation日前宣布，公司推出了一款通过汽车电子协会(AEC)Q100认证的SPDT射频开关。这款HaRP技术增强型PE42359开关已通过AEC-Q100 Grade 2认证，表明该产品能够在更广的温度范围(-40到+105℃)内工作。该开关采用微型6引脚SC-70封装，适合各种汽车应用，如遥控
射频开关是用于控制射频信号传输路径的控制器件之一，在无线通信、电子对抗、雷达系统、自动测试设备等许多领域中有广泛用途。
现代智能手机有效集成了通信和计算功能，是一种复杂的技术创新，可简化针对消费者和商业企业等的许多不同应用。为了向消费者随时提供无误码的高数据速率通信，现代手机需要采用多种频段和配置，从而对高线性度和低信号失真提出了更高的要求。复杂架构要求对射频信号进行路径选择，这正是多刀多掷射频开关越来越普及的关键驱动力。
本文介绍了锐迪科微电子公司蓝牙射频前端模块RDAT224 和RDA212 的设计方法和应用系统的原理。RDAT224 芯片和RDAT212 芯片都集成了功率放大器PA、低噪声放大器LNA和T/R 射频开关Switch。RDAT212 芯片特别增加PA bypass 及LNA bypass 的省电功能。芯片的输入和输出已经在模块内部匹配到50 欧姆。RDAT224 芯片的封装尺寸为5X5mm2，而R
RFMD ®，多市场产品扩展，高隔离度宽频带开关 设计与制造高性能半导体元件的全球领导厂商 RF Micro Devices， Inc.宣布，将公司的射频元件系列扩展到包括四款全新高隔离度宽频带开关：RF3021、 RF3023、RF3024 和 RF3025。各款对称射频开关可服务于多个细分市场，包括移动设备的
