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东芝证实，通过在纳米线晶体管中使用应变硅（Si）技术，可将纳米线晶体管的驱动力提高58％。该成果已在“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”（2010年12月6～8日，美国旧金山）上发布。
