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美国高通技术公司推出RF360前端解决方案，这是一个综合的系统级解决方案，针对解决蜂窝网络射频频段不统一的问题，首次实现了单个移动终端支持全球所有4GLTE制式和频段的设计。
美国高通公司日前宣布其全资子公司美国高通技术公司推出RF360前端解决方案。这是一个综合的系统级解决方案，针对解决蜂窝网络射频频段不统一的问题，首次实现了单个移动终端支持全球所有4G LTE制式和频段的设计。
RFMD 的新型 RFHA104x 系列高功率氮化镓 (GaN) 宽频功率晶体管 (BPT) 经过优化，适用于军事通信、商用无线基础设施和普通应用。由于采用了为满足高峰均比应用而优化的先进的 65V 高功率密度氮化镓 (GaN) 半导体工艺，这些高性能放大器可在单个放大器设计和宽频率范围内提供高效率和平坦增益、从而实现了高功率。
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出TEF664x，为其极为成功的RFCMOS单芯片车载收音机解决方案系列再添新成员。TEF664x在单个芯片中集成了一个低IF AM/FM调谐器和DSP处理单元，专门针对单调谐器应用而设计。
全球最大、最成功的基于硅技术的射频(RF)前端解决方案供应商SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)扩展其全面广泛的产品系列，推出RF开关/LNA 前端IC (FEIC)产品SE2601T。
飞思卡尔半导体公司今天推出两款LDMOS射频功率晶体管。在中国，时分同步码分多址存取（TD-SCDMA）无线网络被广泛应用，而这些射频功率晶体管已经专为服务于上述网络的基站中所使用的功率放大器进行了优化。
作为高性能射频元件和复合半导体技术的设计和制造方面的全球领导者之一的RF Micro Devices， Inc.公司，即日宣布推出RF7178 –无线业界首例整合了四-频段、12级-兼容GSM/GPRS的功率放大器、一个pHEMT天线开关及接收 SAW 过滤器的前端模组。
飞思卡尔针对新兴的TD-SCDMA 无线网络推出RF功率器件和参考设计
飞思卡尔半导体引入两个末级LDMOS RF功率晶体管，为设计人员提供介于分离式和集成式电路解决方案之间的选择。此选择随同提供两个参考设计，为设计人员带来更好的灵活性，并且有助于缩短上市时间。新晶体管经过优化，用于基于时分同步码分多址技术（TD-SCDMA）的功率放大器。而TD-SCDMA则是目前中国国内广泛部署的第三方无线标准，同时其他市场也正在考虑使用该技术。
RFMD面向3G多模手机市场推出RF MEMS器件
