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基站接收器设计是一项艰巨的任务。典型接收器组件包括混频器、低噪声放大器(LNA)和模数转换器(ADC)等，这些器件随着时间推移而不断改善。
实际上，该IC在混频器IC内部集成了曾经附加于接收器内混频器的许多组件，比如，本振(LO)和中频(IF)放大器。
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS， CA) – 2013 年 7 月 25 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款具有可扩展至 6GHz 之非常宽频率范围的高性能混频器 LTC5510。
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology， Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已新推出低频段 RF 混频器，该混频器可通过在拥挤频谱中为 4G LTE、3G 和 2G 系统减少互调失真增强用户的移动连接体验。IDT 新的 Zero-Distortion™ 基站收
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT公司 (Integrated Device Technology) 宣布，已推出针对 4G 无线基站的业界最低功耗低失真多样化混频器。作为 IDT Zero-Distortion 系列产品之一，这款新器件可在降低长期演进(LTE)和时分双工(TDD)无线通信架构失真的同时降低功耗。
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology， Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出针对 4G 无线基站的业界最低功耗低失真多样化混频器。作为 IDT Zero-Distortion™ 系列产品之一，这款新器件可在降低长期演进(LTE)和时分双工(TDD)无线通
随着多种通信标准广泛共存，越来越多的$无线通信设备需要满足多频段、高带宽要求，这给系统设计，特别是射频电路设计带来极大的挑战。受制于半导体技术制约以及射频技术本身的复杂性，高性能、宽带射频集成电路的设计实现通常难度非常大，射频器件在满足高带宽、低噪声、无杂散动态范围等关键技术指标上常常左支右绌。而混频器作为射频电路设计的关键器件之一，无疑是典型代表。
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS， CA) – 2012 年 3 月 29 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 4GHz 至 6GHz 大动态范围下变频混频器 LTC5544。LTC5544 混频器可提供高线性度和 25.9dBm IIP3 (输入 3 阶截取)，由于集成了 IF 放大器而能提供 7.4dB 的高转换增益，噪声指数为
日前，IDT® 公司宣布，已推出两款面向手机基站设备的低功耗、低失真射频(RF)至中频(IF)混频器以扩展其模拟无线基础设施产品组合。
日前，IDT® 公司宣布，已推出两款面向手机基站设备的低功耗、低失真射频(RF)至中频(IF)混频器以扩展其模拟无线基础设施产品组合。新的器件可改善系统三阶互调(IM3)性能并减少功耗，从而实现改进的服务质量(QoS)和 4G 无线基础设施应用中更小的附件和增强的可靠性。
