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在ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷材料中掺入适量B4C，成功在840 ℃温度下烧结成致密陶瓷。实验研究发现，B4C的助烧作用归因于B4C在烧结升温过程中分解，生成了氧化硼，而氧化硼是良好的烧结助剂。B4C在500℃以下化学性质稳定，添加B4C作为硼源可以避免添加氧化硼、硼酸等硼源对压敏陶瓷材料制备过程的不利影响。
本文采用传统的ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方体系氧化锌线性电阻，探究了烧结温度对氧化锌基线性电阻的电阻温度系数和微观结构的影响。
本文研究氮气气氛下不同烧结温度对氧化性压敏电阻直流三参数的影响，确定低温烧结铜浆可以保证较小的漏电流和高ɑ系数。
两步烧结有利于获得小晶粒、高电位梯度的氧化锌压敏陶瓷，但其两步的温度分别对氧化锌压敏陶瓷烧结过程的影响尚不清楚。本文采用两步法在不同温度下烧结ZnO压敏陶瓷，分析不同温度对氧化锌陶瓷的微观结构与电学性能的影响。
从MOV的生产工艺试验实践总结，论述了MOV配方与生产工艺的关系，配方具有独立性，配方与生产工艺具有相互之间的制约性。通过实例解析，改进烧结工序提高了压敏电压一致性，改进被银工序提高了产品性能。
氧化锌陶瓷电阻是由ZnO晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体，无高阻晶界层。它具有线性的电压—电流特性，电阻率可调，电阻温度系数小且为正，耐浪涌能量大。本文讨论了氧化锌陶瓷电阻的性能，以及性能与配方、工艺的关系，探讨了氧化锌陶瓷电阻的微观结构和导电模型。
这次会议将展示一年来我国电压敏元件在性能研究、粉料制备、烧结工艺、新型结构、导体浆料、电极特性、降低残压、脉冲测试、应用研究、雷电防护、国际标准化等方面的发展和最新成就，探讨电压敏元件的发展趋势。为全国从事该领域的有关研究、教育、生产的科技、管理人员提供一个学术与交流的机会，以促
