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Power Integrations公司推出了新的Qspeed 150V二极管产品系列，LQA150具备实现低EMI的出色软度，以及最低的结电容（CJ）和最低的反向恢复电荷（QRR），分别比肖特基二极管低60%和40%。测试表明，这些器件是市场上速度最快且开关损耗最低的开关硅二极管。
美国加利福尼亚州圣何塞，2013年5月13日讯 – 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号：POWI)今日宣布推出LQA200系列200 V二极管。该公司的Qspeed™高性能硅二极管基于合并PIN技术制造而成，具有软开关特性和低反向恢复电荷(Qrr)。这种独特的特性平衡组合能够实现高频率工作，允许使用尺寸更小、成本更低的
Qspeed二极管QRR最低的硅二极管。他们的恢复特性提高效率、减少和消除snubbers EMI。
瑞萨电子株式会社(以下简称“瑞萨电子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件，它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管，组成电源转换电路。
Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories签署代表其在欧洲以外市场销售创新的碳化硅(SiC)二极管和JFET系列产品的协议。SemiSouth的SiC二极管和JFET可以为太阳能逆变器、电机驱动、电信整流器、UPS、三相逆变器和电动汽车等高功率应用带来显著的效率和耐久性优势。
Power Integrations销售副总裁Ben Sutherland表示：“SemiSouth经久耐用、超高能效的SiC JFET和二极管是我们的产品系列的自然延伸，为我们的适用于众多高功率系统的待机电源的产品，如TOPSwitch™和TinySwitch™，提供了完美的补充。有了SemiSouth的SiC JFET和二极管产品系列后，我们将能够在这些同样应用的主功率
碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成，不仅优化了价格和性能，还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列，科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。
该系列产品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成，不仅优化了价格和性能，还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列，科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。
高清电视及显示器的发展加速提高了信号传输速率，除此之外，USB 2.0以及USB 3.0等高速串行协议的应用也使信号速率在不断提高。随着信号速率的提高，以前传统的ESD保护技术已显得过时，多层压敏电阻、硅二极管的高电容、漏电流以及钳位电压已经不能提供准确可靠的保护，以保证高速信号不发生明显的信号降级。
