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日本的华裔存储器专家、富士通半导体系统存储器事业部市场部产品高级经理冯逸新提到，中国已成为富士通集团全球最大的市场，而富士通FRAM铁电存储器的最大市场也是在中国!
随着仪器仪表信息化、智能化的发展，传统机械计量设备已经无法满足信息及时采集的要求。而铁电存储器将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起，它的广泛应用为仪器仪表智能化的开发与发展提供了便利的条件。
RamtronInternational宣布，推出64Kb、3V内嵌铁电存储器的处理器外围芯片产品FM3130，在微型封装中结合了非易失性铁电存储器FRAM和RTC(实时时钟/日历)功能。FM3130经过简化，可在消费电子和计算机外设应用中减少系统成本和线路板空间，提供常用的诸如如打印机和高清电视(HDTV)等系统所需通用功能，而且无需使用分立器件。
世界顶尖的低功率铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation将在今年2月24至26日于深圳会展中心举行的IIC China 展会上展示F-RAM技术的诸多优势 (展台号：2L19)。Ramtron专家将在展台进行现场演示，并回答有关获奖的MaxArias™无线存储器等半导体解决方案的各种问题。
上海，2012年7月31日 – 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布其FerVID 家族推出用于RFID标签的一款新的芯片-MB89R112。该芯片用于高频RFID标签，带9 KB的FRAM内存。FerVID家族产品使用铁电存储器(FRAM)，具有写入速度快，高频可重写，耐辐射，低功耗操作等特点。新品样片2012年8月起批量供货。
Ramtron宣布提供全新4-至 64Kb串口非易失性铁电 RAM (F-RAM)存储器的预认证样片，新产品采用Ramtron全新美国晶圆供应商的铁电存储器工艺制造，具有1万次 (1e12)的读/写循环、低功耗和无延迟(NoDelay™ )写入特性。
世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布，现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器 (F-RAM) 产品的样片。
世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布，现在已经可广泛提供在新IBM公司生产线上制造的首批预验证铁电存储器(F-RAM)样片。
世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布，其MaxArias™ WM710xx系列无线存储器获《今日电子》杂志投票评选为2010年度优秀产品。
世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 和全球领先的高性能模拟IC设计商与生产商奥地利微电子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于评测第三代数据丰富自动识别应用的MaxArias无线存储器套件。Ramtron的MaxArias无线存储器评测套件在德国慕尼黑e
