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过去几年，我们比较先进的工艺还是保持在60nm、45nm，但是从2013年开始，28nm、32nm成为主流的先进工艺，特别是28nm，将每年保持高增长的态势。邱善勤预测：32nm、20nm是过渡型工艺，不是主流，到2017年20nm、16nm及以下的先进工艺将成为主流。
Xilinx日前宣布在20nm工艺节点再次推出两大行业第一：投片半导体行业，也是可编程逻辑器件(PLD)行业首款20nm All Programmable器件;发布第一个ASIC级可编程架构UltraScale。“我们制定了业界最激进的20nm投产计划。”赛灵思公司(Xilinx)全球高级副总裁汤立人(Vincent Tong)说，“我相信，当客户结合采用台积电技术和UltraScale架构，并通
随着20nm SoC已进入开发阶段，14nm、10nm甚至7nm工艺均在逐步推进中。明导公司(Mentor Graphics)董事长兼首席执行官Walden C. Rhines为大家解析14nm级以后工艺所面临的挑战，明导公司在该方面有何作为?
赛灵思公司 (Xilinx)今天宣布， 延续 28nm 工艺一系列行业创新 ，在 20nm 工艺节点再次推出两大行业第一：投片半导体行业首款 20nm 器件， 也是可编程逻辑器件 (PLD) 行业首款 20nm All Programmable 器件 ;发布行业第一个 ASIC级可编程架构 UltraScale。
比利时微电子研究中心IMEC的研究人员们已经开发出一种纳米级的氧化铝铪电介质(HfAlO/Al2O3/HfAlO)堆迭，这种具氮化硅/氮化钛混合浮闸的闸间电介质可用于平面 NAND Flash 结构中，并可望推动NAND flash在20nm及其以下先进制程进一步微缩。
本月初，FPGA产业巨头之一Altera公司宣布了“实现突破性优势”的下一代FPGA和SoC技术。Altera公司产品营销资深总监Patrick Dorsey先生来京就该公司的新的产品技术进行了讲解。
台积电抗韩计划启动，预定本月20日正式展开20纳米制程量产线装机作业，比预估提早近二个月，估计第2季末投片量产，下半年放量出货。
台湾半导体巨头台积电表示，相比目前28nm工艺芯片的市场需求量，20nm芯片的需求量将更高，普及速度也将更快。
semiaccurate.com 的查理今天带来了格罗方德半导体(Global Foundries)的20nm、14nm晶圆片实物照，据称这些晶圆都是在CES 2013 展会的一角看到的。
Xilinx 不久前正式公开了其20 nm产品路线图，在之前的28nm产品上，Xilinx声称他们领先竞争对手一代，落实了All Programmable器件战略(FPGA、SoC和3D IC)，推出了Vivado设计环境和开发套件，结合其丰富的IP资源，为市场提供了高性能、低功耗和有利于减少系统/BOM成本的产品。赛灵思公司全球高级副总裁，亚太区执行总裁汤立人表示，Xilinx在20nm产品的表
