搜索结果：找到 “关键字” 相关内容 10个， 当前显示 10 条，共 1 页
英特尔在代工领域的主要竞争对手包括台积电和从AMD分拆出来的GlobalFoundries，他们都为Nvidia和高通等企业生产ARM架构的芯片。台积电和GlobalFoundries从明年开始将分别使用16和14纳米芯片生产配备3D晶体管的芯片，但英特尔希望与之争夺业务，并将为Altera生产14纳米64位ARM芯片。
FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术，是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET工艺。虽然该技术具有巨大的优势，但也带来了一些新的设计挑战，它的成功，将需要大量的研发和整个半导体设计生态系统的深层次合作。
SoC(systemonachip)是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体(ST)已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技术。
为了完成Ivy Bridge处理器设计，英特尔创建了一种新架构，它使用了名为“Tri-gate”的3D晶体管技术。这种多维电子元件通过更紧密的设计加强处理器的热设计功耗指标。英特尔还将这种设计技术利用到了更加高效的14纳米制程工艺中。
FinFET是一种 3D晶体管技术，目前正初步获得芯片制造商的采用;大厂英特尔(Intel)则是将其3D晶体管技术称为“三闸(tri-gate)”，业界预计该公司将在今年底推出采用3D晶体管技术所生产的22nm芯片样品。
。英特尔 VS AMD就是热议多年的话题，然后又变成微软 VS 谷歌。现在最有趣的一对是英特尔 VS ARM。英特尔发布三栅极3D晶体管之后，关于该技术能否左右二者之间的战局业界已有很多评论文章。
台积电不准备部署据说是移动设备的福音的FinFET技术，至少14nm节点之前不会。这一策略与英特尔不同，英特尔最近发布了名为三栅极技术的FinFET器件的应用，使用该公司的1270工艺制程(即22nm工艺)。目前1270工艺准备下半年于英特尔亚利桑那州的F32工厂量产(参阅电子工程专辑报道：英特尔提前量产3D晶体管，进入22nm时代)。
英特尔公布重大技术，下一代处理器基于3D晶体管。
分析师们表示，上述计划或能帮助英特尔与竞争对手抗衡，之前，英特尔的芯片大多被高增长的智能手机市场拒之门外。
独特的等离子掺杂解决方案，针对22纳米及更小技术节点的逻辑和存储芯片；取代离子注入共形掺杂技术，用于复杂3D结构的制造；创新系统为应用材料公司打开新的市场
