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硅基CMOS技术是当今大多数电子产品依赖的主要技术。然而，为了电子行业的进一步发展，新技术必须开发具有能将CMOS与其他半导体器件集成的能力。欧洲最大的一项研究计划石墨烯旗舰项目(Graphene Flagship)，即以10亿欧元的预算将实验室石墨烯转向市场，参与市场化竞争。
中国，北京-2016年9月22日-Silicon Labs(亦名“芯科科技”，NASDAQ: SLAB)日前推出了基于CMOS技术的突破性隔离型场效应晶体管(FET)驱动器家族产品，这使得开发人员能够使用自己选择的特定应用和高容量的FET去替代过时的机电继电器(EMR)和基于光耦合器的固态继电器(SSR)。
RFaxis， Inc日前宣布，该公司的单刀三掷(SP3T)开关RFX333已投入量产。这款开关专为用于智能型手机、平板计算机等行动装置的2.4GHz Wi-Fi/Bluetooth组合芯片而最佳化。RFX333采用业界最具成本效益优势的bulk CMOS技术研发和生产，可与当前市场上采用的使用昂贵的砷化镓(GaAs)或绝缘硅片(SOI)制程的现行解决方案实现引脚兼容。
派更半导体新近推出的高频与高功率系列产品，正在帮助测量设备实现新一轮的升级换代。首先，单刀双掷开关PE42520和PE42521为测量使用的高频CMOS RF开关设定了新的性能标杆(参见图1)。基于派更半导体的Ultra CMOS技术的核心竞争力，它们的工作频率可以高达13GHz，承受+36dBm的高功率，从而可以达到以往常规CMOS难以达到的水平。
PRDTX11101汽车雷达发射器提高逻辑和功率放大器集成度业界首款针对汽车雷达传感器的基于SiGe BiCMOS技术的77 GHz VCO+Tx ，提高了逻辑和功率放大器集成度飞思卡尔半导体 [NYSE: FSL) 日前面向自适应巡航控制等主动安全应用，推出了新款Xtrinsic PRDTX11101 汽车雷达发射器。这是业界首款77 GHz硅锗(SiGe)BiCMOS发射器，具有集成压控振荡器
根据定制集成电路会议(CICC)的主题演讲，半导体CMOS技术可能在2024年的7nm制程走向终结，而石墨烯是其首选替代技术。
本文主要描述了采用1.2V基线65nm CMOS技术实现8.04Vpp和3.6GHz工作频率的首款宽带PWM控制RF SMPA驱动器。该CMOS驱动器连接了数字CMOS电路与高功率晶体管，可充当面向无线基础设施系统的下一代可重新配置多频多模发射器的主要构建模块。
Maxim在2011年移动通信世界大会上展示了带有独特的自适应增益设置电路的数字环境光传感器(ALS) IC MAX44007/MAX44009。这两款IC采用公司专有的BiCMOS技术设计，在2mm x 2mm x 0.6mm微型封装内集成了两个光传感器、一个ADC和所有必备的数字功能。这种集成特性能够在提供业内最佳性能的同时，节省宝贵的电路板空间。
在微电子技术基础上发展起来的单片机及其外围器件，使仪表技术进入了一个崭新的智能化时代。此外，半导体工艺的发展使器件普遍地采用CMOS技术，CMOS器件不仅器件的体积越来越小，也为实现低电压、低功耗和功耗管理提供了良好的条件，使便携式仪表的普及成为可能。因此，低功耗的便携式仪表有着很好的发展前景。从使用者的角度来说，希望便携式仪表在大多数情况下都能携带方便，操作简单，无需复杂维护又能长时间可靠地工
恩智浦，新一代硅锗碳BiCMOS QUBIC4技术，促进射频创新 恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦成立的独立半导体公司），近日推出业界领先的QUBIC4 BiCMOS硅技术，巩固了其在射频领域的领导地位，实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时，为客户带来成本优势。恩智浦承诺将进一步加大对QUBIC4 BiCMOS技术的投入，使未来的射频(RF)产品，如手机和通信
