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2010年5月24日,德州奥斯汀讯-飞思卡尔半导体日前推出一款RF LDMOS功率管,工作频率为1.8至600 MHz ,最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像(MRI)扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。