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本文分析了高速信号传输接口对静电放电 (Electrostatic Discharge, ESD)防护元件的要求及元件选型，采用片式多层技术平台设计制造开关型陶瓷静电抑制器（GESD）的功能与性能，经过测试该元件可满足高速信号传输接口ESD防护的技术要求。
局部放电（partial discharge，简称PD）现象，通常主要指的是高压电气设备绝缘层在足够强的电场作用下局部范围内发生的放电，某个区域的电场强度一旦达到其介质击穿场强时，该区域就会出现放电现象。
Semtech无线充电产品组合已经改变了我们所知道的连接性。 Semtech 基础架构可用于任何环境，为符合标准的移动电话和平板电脑提供无线充电功能。
Dialog凭借广泛的充电芯片产品引领 RapidCharge™快充解决方案，可实现更高的效率、更低的BOM成本，并支持几乎所有快速充电协议，包括新的USB PD规范。
针对当前市场需求和最新的USB标准，领先的电源半导体供应商安森美半导体宣布携手USB PD控制器领域的领导者伟诠电子，合作推出全系列USB PD壁式充电器参考设计，包括支持USB Type-C接口PD 3.0和高通Qualcomm Quick® Charge 3.0TM Class A快充协议的45 W USB PD 3.0电源适配器方案。
针对当前市场需求和最新的USB标准，领先的电源半导体供应商安森美半导体宣布携手USB PD控制器领域的领导者伟诠电子，合作推出全系列USB PD壁式充电器参考设计，包括支持USB Type-C接口PD3.0和高通Qualcomm Quick® Charge 3.0TM Class A快充协议的45 W USB PD3.0电源适配器方案。
2016年11月8日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于众多国际大厂器件且采用高通最新充电技术Quick Charge 3.0和符合MediaTek协议的快速充电解决方案，其中的核心器件来自于Fairchild、NXP、Toshiba、Vishay等厂商。
USB Type-C和Quick Charge(QC)是当前市场两大新的供电标准，也是市场趋势。这两大标准的共同特点是输出电压需要调节。安森美半导体推出的单电感H桥升降压电源控制器 NCP81239可以适配宽输入电压范围和宽输出电压范围，特别适合用于USB Type-C或QC3.0等需要根据用电设备要求进行电压调节的应用。
Qualcomm Incorporated宣布，其子公司Qualcomm Technologies, Inc. 现已推出下一代快速充电技术Qualcomm® Quick Charge™ 3.0。
Dialog半导体公司(法兰克福证券交易所交易代码：DLG)日前宣布，其快速充电解决方案---iW1780+iW626Qualcomm Quick Charge 2.0电源适配器芯片组---被乐视移动智能信息技术(北京)有限公司最近发布的智能手机乐Max和乐1 Pro所采用。
