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本文分析了高速信号传输接口对静电放电 (Electrostatic Discharge, ESD)防护元件的要求及元件选型，采用片式多层技术平台设计制造开关型陶瓷静电抑制器（GESD）的功能与性能，经过测试该元件可满足高速信号传输接口ESD防护的技术要求。
ESD静电保护器件是一种过压保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。
JESD204接口可提供这种高效率，较之其前代互补金属氧化物半导体(CMOS)和低压差分信号(LVDS)产品在速度、尺寸和成本方面更有优势。
本文主要介绍了ESD静电二极管，ESD静电二极管是由几个TVS晶粒或二极管采用不同布局做成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要用于通信界面的ESD保护。
华芯微特为代表在MCU静电和能耗上等核心指标也有超越国际竞争对手的水准。值得一提的是，为了更好贯穿与落实产品向节能化、智能化、高端化发展的趋势，华芯微特将于2020年12月17日于佛山顺德铂尔曼酒店（华美达）举办“华芯微特MCU新品发布会暨屛驱和直流电机解决方案”活动。
本视频介绍安森美半导体的NIV1161，它在汽车应用环境中保护高速数据线路免受静电放电(ESD)及对电池短路的损伤。本视频我们将以一个电子系统的后视摄像为例，以展示NIV1161的特性。
静电放电(ESD)和电快速瞬变脉冲群(EFT)对仪器仪表系统会产生不同程度的危害。静电放电在5～200MHz的频率范围内产生强烈的射频辐射。此辐射能量的峰值经常出现在35MHz～45MHz之间发生自激振荡。
静电可被定义为物质表面累积的静态电荷或静态电荷之间交互作用累积的电荷。电气过应力(EOS)和静电放电(ESD)是电子行业面临的重大挑战之一。通常来说，半导体行业中超过三分之一的现场故障都是由ESD引起的。ESD导致的半导体故障表现为漏电、短路、烧毁、接触损伤、栅氧缺陷、电阻金属接口损坏等。
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界速度最快的 12 位模数转换器 (ADC)。这款 RF 采样 ADC12J4000 不仅时钟速率高达 4 GSPS，支持数据转换速率高达 8Gbps 的 JEDEC JESD204B 串行接口标准，而且功耗比同类竞争产品低 50%。
