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功率器件是属于功率比较大的一种电子元器件，在日常生活中，我们所见到的大音响，基本上都是采用这种电子元件，近几年，GaN功率器件引业界关注，市场也是比较活跃的，今天一起来通过本文了解GaN功率器件市场未来的发展，洞悉往后之路。
上海，2013年7月23日 – 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150 V。
上海，2012年11月20日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
富士通半导体于日前宣布，利用配备该公司开发的硅基板GaN功率器件的服务器用电源，成功输出了2.5kW的高功率，同时还公布了 2013年下半年开始量产硅基板GaN功率器件的目标。该公司将在今后提出利用该器件的多种电源应用方案，力争2015年度凭借GaN功率器件实现约 100亿日元的销售额。
IR推出革命性氮化镓基功率器件技术平台专有的硅上GaN器件和功率器件技术预示着电源转换新纪元的到来 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布，成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比，该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10，显著提高计算和通信、汽车和电器等终端
