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900V耐压的GaN器件，为汽车、工业及家电类应用提供优质选择。
随着军事应用持续推动GaN器件市场，其商业应用已经形成，这将帮助加速GaN市场增长。美国战略预测公司最近发布的《2012～2017年GaN微电子市场》总结说，2012年整个GaN微电子器件市场收入略低于1亿美元。该报告还预测，商业的射频与功率管理应用在预测期内将开始大幅增长，这将推动GaN整体市场到2017年略高于3.34亿美元。
品质因数(FOM)是比较增强型GaN(eGaN)功率器件和先进的硅MOSFET的一个准绳。然而，在这些纯数字以外，其它与器件和封装有关的参数也会显著影响电路中的性能表现。在对器件作出比较时，我们限于比较商用的eGaN器件及把MOSFET的电压范围限制在40V到200V之间，以便作出直接比较而不需要进行推断。
IR推出革命性氮化镓基功率器件技术平台专有的硅上GaN器件和功率器件技术预示着电源转换新纪元的到来 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布，成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比，该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10，显著提高计算和通信、汽车和电器等终端
