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凭借这一突破性的300mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长。利用现有的大规模300mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率。300mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平。
随着军事应用持续推动GaN器件市场，其商业应用已经形成，这将帮助加速GaN市场增长。美国战略预测公司最近发布的《2012～2017年GaN微电子市场》总结说，2012年整个GaN微电子器件市场收入略低于1亿美元。该报告还预测，商业的射频与功率管理应用在预测期内将开始大幅增长，这将推动GaN整体市场到2017年略高于3.34亿美元。
