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高功率密度模块使大型望远镜能够追溯宇宙历史
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚，分别为栅极(Gate)，漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。
联华电子(UMC，TWSE: 2303)与 ASIC 设计服务暨 IP 研发销售厂商智原科技(Faraday Technology Corporation，TWSE：3035)今日共同发表智原科技于联电28奈米 HPC U 工艺 的可编程12.5Gbps SerDes PHY IP 方案。此次智原成功推出的 SerDes PHY，为联电28奈米 High-K / Metal Gate 后闸极技术 工艺 平台中一系列高速 I/O 解决方案的第一步。
主要介绍基于现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，FP-GA)及EDA方法学的永磁无刷直流电机控制系统的电子电路设计。FPGA是一种高密度可编程逻辑器件，其逻辑功能的实现是通过把设计生成的数据文件配置进芯片内部的静态配置数据存储器(SRAM)来完成的，具有可重复编程性，可以灵活实现各种逻辑功能。
Mouser Electronics即日起供货第4代Intel® Core™处理器(前身为Haswell)。该款处理器采用22nm架构和Tri-Gate技术，最大程度地提高了每瓦性能。 该处理器设计灵活，可用于桌面、移动或嵌入式产品。 该处理器降低了闲置状态的功耗，耗电量是上一代的1/20; 使用Intel® Rapid Start，只需 3 秒即可将处理器从休眠状态唤
Altera的14奈米(nm)三闸极电晶体(Tri-gate Transistor)制程可望于明年启动量产。面对赛灵思(Xilinx)即将于2014年采用台积电16奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程，生产首批现场系统单晶片可编程闸阵列(SoC FPGA)，Altera亦不干示弱，于日前宣布将于2013年底前提供14奈米的SoC FPGA测试晶片，预计于2014年正式投产14奈米SoC FPGA
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布利用英特尔公司(INTC)业界领先的onshore代工技术和使用英特尔革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶体管技术，开发先进的高性能数字集成电路(IC)和系统级芯片(SoC)解决方案。
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型功率管，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，综合了以上这两种优点，使得其非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
PMC®公司(纳斯达克代码：PMCS)今天宣布Adaptec® by PMC 将与希捷公司(Seagate)携手，展示一款涵盖完整产业链的端到端12Gb/s SAS存储解决方案。该解决方案将在2013年4月10日至11日召开的2013年北京英特尔信息技术峰会(IDF2013)上作为公司现场展示全系列存储产品中的一部分向公众展出。
Achronix Semiconductor公司宣布将其业界领先的22nm Speedster22i HD1000系列FPGA发运给客户，实现了又一个重大里程碑。22nm Speedster22i HD1000是Speedster22i FPGA产品家族的首个成员。该器件采用英特尔领先的22nm 3D Tri-Gate晶体管技术，其功耗是竞争对手同类器件的一半。
