GaN冲上2200V，PI盯上SiC市场

Power Integrations正式发布其新一代2200V PowiGaN™技术，这是其继750V、900V、1250V和1700V之后，再次将GaN器件耐压等级向上推进。

Power Integrations推出面向新一代高压电力系统的2200V氮化镓技术

全新2200V PowiGaN™技术，可帮助AI数据中心、电动汽车、光伏及高压直流基础设施实现更高功率密度与系统运行效率，同时助力搭建安全性更高、结构更精简的电力系统方案。

Power Integrations推出节省空间的超薄型辅助电源参考设计，适用于NVIDIA的Kyber 800VDC AI数据中心应用

新款紧凑、超薄电源设计采用高集成度、1700V额定耐压的PowiGaN™单HEMT IC，可节省空间、简化方案、提升可靠性并减少BOM元件数，同时实现高达88%的效率

PI推出TOPSwitchGaN™ 开启大功率电源设计“极简时代”

2026年3月23日，知名高压集成电路开发商 Power Integrations（PI）宣布推出突破性的 TOPSwitchGaN™ 系列反激式开关IC 。

Power Integrations将反激拓扑功率范围扩展至440W，打造比谐振设计更简洁的电源方案

新款TOPSwitchGaN IC将输出功率提升一倍以上，同时降低系统成本、简化系统结构并缩短设计周期

Power Integrations发布新技术白皮书，深度解读适用于下一代800VDC AI 数据中心的1250V和1700V PowiGaN技术

该公司正在与英伟达(NVIDIA)合作开发800VDC供电架构；新发布的白皮书剖析了1250V PowiGaN技术相较于650V GaN和1200V SiC的优势

Power Integrations推出太阳能赛车专用参考设计， 采用高效率氮化镓芯片

28家厂商苏州集结，打通电动工具与清洁电器控制、驱动与电源全链路

兆易创新、Power Integrations、华润微等28家国内外厂商齐聚苏州，集中展示覆盖控制、电源管理、功率器件、电容与保护器件等核心环节的最新方案，呈现从核心器件到系统验证的全链条能力。

Power Integrations任命Jennifer Lloyd为下一任首席执行官

模拟芯片行业资深人士将接棒掌舵多年的领导者Balu Balakrishnan

Power Integrations的1700V开关IC为800V纯电动汽车 提供可靠性和节省空间的优势