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三星电子近日表示，已在全球最先开始量产突破半导体技术极限的新概念3D垂直堆叠型结构NAND闪存芯片(3D Vertical NAND, 3D V-NAND)。
闪存密度越来越高带来的是更大容量的设备，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得减少闪存芯片的面积不可。镁光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND闪存芯片，采用20纳米制程，TLC闪存技术，裸片面积只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。
市场调研公司ICInsights周一发布报告称，2011年至2016年期间全球芯片市场的复合年均增长率(CAGR)可达8%，其中NAND闪存芯片市场增速最高，将达到16.6%。
据媒体报道，根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新数据，2011年第四季度全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元，环比下滑了8.6%。三星电子依然是该市场的龙头，市场份额达到了34.6%。
目前东芝是全球第二大NAND 闪存芯片厂商，市占率为45%，仅次于韩国三星。NAND闪存芯片则是全球芯片市场的热销产品，为苹果iPhone和iPad等全球畅销电子产品的核心部件，而该产品因本次地震影响最为严重。
据市场研究公司iSuppli星期五发表的研究报告称，随着消费者越来越多地使用平板电脑，苹果的iPad今年将推动NAND闪存芯片的应用增长将近五倍。
亚洲最大半导体交易市场Dramexchange分析师西恩·杨15号(周三)表示，东芝旗下一家芯片工厂突发短时电力故障，以致NAND芯片出现停产。该分析师还表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在内等多款产品均在使用的这款NAND闪存芯片价格或将上涨15%。
据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。
据国外媒体报道，英特尔和美光科技星期一预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。
据国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元（约合22亿美元）扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。
