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根据TrendForce集邦咨询数据，预估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合约价均上涨。存储芯片的整体涨势或将延续至明年第一季度。
近期,存储芯片市场出现了明显的涨价趋势。据供应链透露,三星电子带头调整其NAND Flash价格策略,将512Gb颗粒最低价从1.4美元提升至1.85美元,现货价格甚至高达2美元,涨幅近40%。其他存储芯片供应商也纷纷跟进,包括长江存储也将于近期再次通知客户涨价。
受惠与全球5G市场的发展，再加上全球疫情趋缓，全球存储器事业逐渐恢复合理化。存储器需求以及价格都在增涨。全球DRAM市场格局三分天下，其中韩国企业在DRAM市场与NAND Flash市场中占据较大份额，可见韩国厂商在DRAM，NAND Flash两类数据存储器产业链影响力突出。
本文主要介绍了晶圆和控制器，受限于上游台积电和联电等晶圆代工厂产能满载及下游封测产能急缺，预计明年第一季度的NAND Flash控制器价格或上涨15~20%左右。
本文主要介绍了存储器厂家一直在尝试在一个封装中集成RAM和NAND的共同优点，但是一直没什么进展，最近英国的兰开斯特大学的专家称，他们成功制造出一种新型的非易失性存储器。
2016年6月2日，台北讯 ——在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO)，今日推出了SM2258这款全球首个交钥匙式ASIC/固件 SATA 6Gb/s SSD控制器解决方案，可支持所有主流NAND供应商最新发布的3D TLC NAND产品。
介绍了一种基于ARM9的彩色薄膜晶体管液晶显示模块(TFT-LCD)的设计和实现方法。为了解决图像及字符在液晶模块上的实时显示，图像库及字符库存储在容量达64Mbyte的NAND Flash闪存中，可以根据不同需求对图像库及字符库进行更新。
在半导体性能创新方面，专家们正专注于三个方面：高级的新材料，比如石墨烯和取代硅的碳纳米管;基于3D堆叠的半导体工艺技术;结合存储器和非存储器芯片的单芯片方案。通过成功制造3D NAND闪存和14 nm的FINFET，三星电子已经开始新的探索。存储器和非存储器芯片之间的集成还在持续。
在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO)近日宣布推出其专为车载信息娱乐(IVI)系统设计的汽车级PATA及SATA FerriSSD解决方案。
全球领导厂商美满电子科技(Marvell，Nasdaq：MRVL)今日宣布，推出全球首款面向大众市场移动计算解决方案的DRAM-less NVMe(高速非易失性内存)，采用业界领先的NANDEdge™低密度奇偶校验(LDPC)技术，支持TLC和3D NAND。
