这么多年来，存储器厂家一直都在尝试在单个封裝中集成动态随机存储器(RAM)和闪存存储器(NAND)的共同优点，但是一直以来在存储器技术上并没什么大的进展。新型非易失性存储器，是近年来最有希望成为存储器技术性突破的一个重要存储器。新型非易失性存储器具有类似与随机存储器的运性速率、及闪存存储器的断电非易失特性。可以瞬间开启、并且可以从上次断开的位置恢复，为即时(Instand-On)PC的来临而铺平道路。

常常关注存储器技术的小伙伴，肯定多多少少都有听说过几种可以使随机存储器和固态硬盘运行速度更快、更密集、更节能的新技术。

另外有一些研究尝试促进“运行内存中计算”的方式，可以从源头上清除了数据在处理器、内存等构件之间来回所造成的性能滞后。

上面所说的想法都要根据以下的事实，就是要将数据载入动态随机存取存储器，是一种速度很快且环保节能的方案。但是一旦关闭电源或者断电，数据的完整性就无法保存。除此之外系统还必须持续更新数据，这样的话就会造成效率并不是很高。

另一方面，NAND是一种相对不错的数据储存方法，仅仅只是数据载入和擦除的速度太慢，造成数据存储器性能降低，根本就没有办法替代目前的动态随机存取存储器。

最近有个好消息是，英国的兰开斯特大学的科学研究人员称，他们已经制造出了一种新型的非易失性存储器——速率可与动态随机存取存储器相比，载入能耗却仅为百分之一。

这一项新技术性被称之为UK III-V存储器，其根据20nm 光刻工艺生产制造，载入所需要的时间仅为5ns(与动态随机存取存储器差不多)，且提供了类似闪存存储器的简单载入特性。

最重要的是，它是一种非易失性存储器，可以在关闭电源或断开电源时维持数据的一致性。

目前为止，原型设备已经可以通过2.1V的电压来擦除和程序编写数据。比较之下，典型NAND单元必须要施加3V的擦除电压。

根据使用更替的GaSb (锑化镓)和InAs(砷化铟)层，科学研究精英团队打造出了“双阱共振隧道结”，而且还达成了这个目标。

新型数据存储器的工作方式跟闪存存储器很类似，都是使用“浮栅”来储存“0”或“1”，但这里的InAs浮栅被不连续的GaSb和AlSb大导带所隔离。

简单而言，UK III-V存储器中应用的晶体管，具备更强的电源开关状态。它们被设计为利用两种材料来保证将信息储存非常长的时间。

虽然没有公布载入操作所需要的功能损耗等细节，但首席研究员Manus Hayne表示：在反复载入“1”的情况下，新型存储器不用重建或持续更新来保证数据的一致性。

当然，最让大家感兴趣的，莫过即便在关闭电源或断开电源的状况下，UK III -V内存照样可以保存数据、并在接通电源后瞬间回到之前工作中断的位置。

Manus Hayne称，精英团队已经在为新技术申请专利了，将来有希望带动1000亿美金 的动态随机存取存储器和闪存存储器市场。