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宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 3 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的20V P沟道功率MOSFET Si7655DN和高性能镀金属直流聚丙烯薄膜电容器MKP1848S分别荣获《中国电子商情》(CEM)杂志2012年度编辑选择奖的“中国最具竞争力功率器件产品奖”和“中国最具竞争力电容器产品奖”。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix Powe
