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美国加利福尼亚州圣何塞,2024年5月7日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今天宣布达成协议,收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies(OTCQB场外交易代码:ODII)的资产。
安森美宣布推出采用了新的场截止第7代(FS7)绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术的1200V SPM31智能功率模块(IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比,SPM31 IPM能效更高、尺寸更小、功率密度更高,因而总体系统成本更低。
你是否曾想过在微控制器(MCU)驱动应用程序中添加投影显示?想象一下,在家用电器中使用投影显示器来提供易于交互、色彩明艳且功耗更低的界面,同时能够不占用传统LCD或薄膜晶体管那么多的空间。
电机驱动器是一种电子设备,用于控制电机的速度、转向和位置。它由电源、控制电路和功率输出部分组成。通常使用交流电源或直流电源作为电源输入,并使用电子元件(如晶体管、场效应管、IGBT、功率二极管等)控制电机输出功率。
牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件,功率级别可达 150kW 或更高。牵引逆变器的效率和性能直接影响电动汽车单次充电后的行驶里程。因此,为了构建下一代牵引逆变器系统,业界广泛采用碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 来实现更高的可靠性、效率和功率密度。
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题,因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中, GaN 能够提高功率密度和效率,因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前,您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是,没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世,电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。
在发明晶体管之前,继电器一直被用作开关。从低压信号安全地控制高压系统(如隔离电阻监测中的情况)的能力是开发许多汽车系统所必需的。尽管机电式继电器和接触器技术多年来有所改进,但对于设计人员来说,要实现其寿命可靠性和快速开关速度以及低噪声、冲击振动和功耗目标,仍然具有挑战性。
传统上在高压功率晶体的设计中,采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻,必须采用超级结技术(superjunction),利用电荷补偿的方式使磊晶层(Epitaxial layer)内的垂直电场分布均匀,有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。
本文主要介绍了三极管,三极管全称是半导体三极管,也被称为双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体元器件。