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首尔半导体，InGaN 系 LED 专利的立场 首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用 InGaN 的 LED 在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN 是组成白、蓝、绿色和紫外光 LED 活跃层的必要物质。作为上述美国得克萨斯法院审判对象的美国专利 5，075，742（以下简称“742专利”）包含了在日本、德国、英国、法国的专利家族。有关详细的审判内容可以在首尔半导
