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与传统硅器件相比，eGaN FET最大允许的栅极至源极电压是较低的。其次，其栅极阈值与大多数功率MOSFET相比也是较低的，但它受负温度系数的影响没那么大。第三，“体二极管”正向压降要比同等的硅MOSFET高1V。
