有关“关断”的最新话题，搜索22 次
近年来LLC 拓扑广泛应用于照明驱动，电视电源，工业电源，服务器/PC电源，通信电源等消费及工业领域中的DC-DC级，这是因其具有如全负载范围原边开关管的零电压开通(ZVS)，副边二极管或同步整流开关零电流关断(ZCS)，EMI特性好(高频噪声分量较少)，电路结构简单，成本较低等优异特性。
IGBT的优势在于输入阻抗很高，开关速率快，导通态电压低，关断时阻断电压高，集电极和发射机承受电流大的特点，目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。IGBT已经由第三代发展到第五代了，由穿透型发展到非穿透型。
本文介绍了一种掉电后备电源的设计，采用超级电容作为储能元件可长期浮充，大电流放电，提高了使用寿命;采用升压型拓扑，优化了超级电容容量配置，可在5V@5A条件下可在5V@5A 条件下，持续工作10s,并在电容因欠压停止工作时，可迅速关断输出，输出电压单调下降，不产生振荡，电性指标满足绝大。
电源的设计是一个比较成熟的领域，可以采用另外一种设计思路实现度显示屏的供电，例如同步整流技术。Q10为功率MOSFET，在次级电压的正半周，Q10导通，Q10起整流作用;在次级电压的负半周，Q10关断，同步整流电路的功率损耗主要包括Q10的导通损耗及栅极驱动损耗。
开关模式电源,谐振坐标分享到：设计开关模式电源时，最麻烦的部件是RCD缓冲器。设计RCD缓冲器的传统方法没有主开关的关断瞬态期间的详细说明。因此，传统方式设计中的设计等式也不完全正确。
开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。
晶闸管又叫可控硅(SCR).自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管，双向晶闸管，光控晶闸管，逆导晶闸管，可关断晶闸管，快速晶闸管，等等.晶闸管是一种大功率半导体器件，它的最大特点是容量大，电压高，损耗小，控制灵便.是大功率变频技术较理想器件.
在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡。
2013 年 6 月 21 日，北京讯 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出符合 AEC-Q100 标准的新一代汽车 LED 驱动器，其丰富的特性支持业界最高额定电压、热关断保护以及优化的电磁兼容性 (EMC) 性能。
本文将介绍设计和分析反激式转换器的RCD缓冲器的新方法。谐振坐标提供了一个了解主开关关断瞬态期间的简单方式，并有助于轻松设计和分析RCD缓冲器。
