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飞思卡尔计划通过全新的氮化镓(GaN) RF功率晶体管产品、经过验证的400多个LDMOS RF功率晶体管和砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)产品支持广泛的A&D应用。
近日，德克萨斯州奥斯汀讯-射频功率市场的领导者飞思卡尔半导体 (NYSE: FSL) 日前推出一种先进的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 控制电路，专门用于优化飞思卡尔 Airfast Doherty 放大器的性能。
技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出完整、经济高效的 Ka 波段砷化镓 (GaAs) 射频芯片组--- TGA4541-SM、TGA4539-SM和TGC4408-SM、TGC4407-SM，用以支持甚小口径终端 (VSAT) 卫星通信系统的要求。该系列包括可变增益驱动放大器、1 W GaAs 单片微波集成电路 (MMIC) 功率放大器、分谐波上
2012年5月8日，德克萨斯州奥斯汀讯 -飞思卡尔半导体公司(NYSE：FSL)日前宣布，推出一款适用于小型办公室/家庭办公室(SOHO)基站应用的新参考设计，两个高级砷化镓(GaA)单片微波集成电路(MMIC)为其提供部分支持。
2010年5月10日，德克萨斯州奥斯汀市讯 －飞思卡尔半导体日前凭借推出专为无线网络应用的宏基站、中继站和家庭基站的高性能而设计和优化的四款新器件，进入砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）市场。
