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东芝公司(Toshiba)推出了基于第四代600V系统超级结(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二极管。新系列采用最新的单外延工艺打造,其每单位面积导通电阻(RON•A)较现有产品降低了约30%(注1),处于业界领先水平。(注2)另外,高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一(注3),降低了损耗并有助于提高功效。