富士通 FRAM（铁电随机存取存储器）产品具有以下特点和优势： 性能特点： 高读写入耐久性：写入寿命高达 10 万亿次，相比传统的 EEPROM（一般只有 100 万次），富士通 FRAM 产品具有极其优异的耐久性，可进行大量的数据读写操作而不易损坏，非常适合需要频繁读写数据的应用场景。 高速写入能力：写入数据的速度极快，可在 150 纳秒内完成，速度大约是 EEPROM 的 1/30,000。这使得在对数据存储速度有较高要求的系统中，FRAM 能够快速地保存数据，提高系统的响应速度和性能。
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