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在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡。
薄膜电容器由于具有耐压高，纹波电流大，杂散电感小，等效串联电阻小，使用寿命长等特点，大量使用在各种家用电器/工业设备/军工产品等等上.薄膜电容器有如此多的优点，但在实际使用中，研发设计人员经常忽略了一些细节，造成薄膜电容器没有发挥应有的电性能及产品优势，严重者还会导致电路失常，产品失效等情况发生.
除开关损耗外，开通和关断速度、电流突变和振荡(EMI)的发生也越来越受到重视。寄生杂散电感对直流母线谐振频率和二极管电流突变起到了重要作用。至少从EMI角度考虑，二极管电流突变将会对通过增加杂散电感或提高IGBT开通速度来降低开通损耗有所限制。
英飞凌，2009 PCIM中国展会，MIPAQ™ base，量产模块 英飞凌科技股份公司今日宣布推出IGBT（绝缘栅双极晶体管）MIPAQ™ base模块。该模块为IGBT三相逆变桥，内部集成电流取样电阻，适用高达55kW的工业驱动和伺服装置， 满足低杂散电感的系统设计要求。
