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据了解，目前LED芯片衬底、外延、芯片、封装四个环节中，外延技术由于科技含量高，高端外延芯片八成依靠进口。此批试制的“氮化镓LED外延片”采用“PSS上成长高亮度LED”技术，该技术共包含4项专利，其中8项为苏州新纳晶光电有限公司总经理与博士生导师王怀兵共同研发的成果，另外6项是中科院苏州纳米所授权使用的专利。采用该技术生产的LED灯具，亮度比国内市场最好的同类灯具亮40%，彻底打破国外大公司在半
