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ZnO压敏变阻器具有良好的非线性伏安特性，可用来抑制瞬态过电压和吸收浪涌电压，被广泛应用于电子线路和电力系统。然而，传统ZnO-Bi2O3，ZnO-V2O5，ZnO-Pr6O11系压敏变阻器存在元素易挥发、与Ag-Pd电极反应、非线性系数低、有毒等不利因素，因此研发新型高性能ZnO压敏变阻器显得十分必要。
高能贴片压敏电阻的贴片化是适应现在电子行业发展小型化和轻量化要求的一类新趋势，也是国家政策扶持的一类敏感器件，新低温共烧技术的出现，使得贴片压敏电阻在电路安全保护方面的大规模推广成为可能，本文介绍了高能贴片压敏电阻的特性和部分应用，为推广此类产品做了有益探索。
碳化硅是一种宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高热导率、低导通电阻等特性，如今已经广泛应用于多个领域。当下电机行业有哪些技术发展方向和趋势？如何把握电机领域新产品、新技术、新解决方案？
氧化锌（ZnO）压敏陶瓷作为金属氧化物避雷器的核心材料，在电力设备过电压防护领域得到广泛应用。ZnO压敏陶瓷中的各类缺陷对其非线性伏安特性、电位梯度、通流能力等性能有着重要影响，通过掺杂、晶粒尺寸控制、表面处理等手段调控缺陷结构以改善其电性能，是ZnO压敏陶瓷一直以来的研究热点。
激光研磨/清洗是应用激光束与物质相互作用的特性对材料进行切削、表面处理、微加工，是一种无污染、减少材料消耗的新兴技术。文章示出正在进行激光研磨/清洗的ZnO非线性电阻片。
本文以主动型浪涌保护间隙为核心理念，将其与限压型压敏电阻串联，研制能够兼顾电压保护水平与暂态过电压耐受能力的智能串联型浪涌保护模块，有效提升过电压防护组件的防护性能，为高性能浪涌保护模块的研制和工程应用奠定基础。
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，具有宽禁带的特性，从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频应用场景。
英飞凌科技股份公司推出600V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7和S7产品系列的后续产品。
低功耗蓝牙®（Bluetooth LE）技术凭借成熟的生态系统、超低功耗特性以及在手机中的广泛普及，成为汽车应用中新连接用例的首选无线协议。
表征MOV特性的是压敏电压、漏电流和非线性系数三参数，性能稳定性则以动态负载试验结果显示。三参数互有影响，其中电压一致性最为重要。瓷体晶粒串联电阻制约电压一致性。MOV的质量有等级之分，性能稳定性则随质量等级而变化。
