砷化镓集成电路是一种使用砷化镓（GaAs）作为主要材料制造的集成电路。与传统的硅集成电路相比，砷化镓集成电路具有更高的工作频率、更低的功耗和更高的功率密度等优点，因此在射频通信、光通信、高速数字电路等领域得到了广泛应用。 砷化镓集成电路的制造工艺与硅集成电路类似，主要包括晶圆制备、光刻、薄膜沉积、刻蚀、互连等步骤。其中，晶圆制备是关键步骤之一，因为砷化镓材料的晶体结构和物理性质与硅材料有所不同，需要采用特殊的晶圆制备技术。
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