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日前，推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)持续扩充高性能绝缘门双极晶体管(IGBT)产品阵容，应用于消费类电器及工业应用的高性能电源转换(HPPC)。安森美半导体新的第二代场截止型(FSII) IGBT器件改善开关特性，降低损耗达30%，因而提供更高能效，并转化为更低的外壳温度，为设计人员增强系统总体性能及可靠性的选择。这些新器件针对目标
2012年10月24日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充NGBTxx系列1，200伏(V)沟槽型场截止(FS) 绝缘门双极晶体管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。
