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有一种新开发的半导体材料辉钼矿(molybdenite，MoS2)，其功耗据说仅有硅材料的十万分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶体管。瑞士洛桑理工学院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人员并指出，这种新一代半导体材料具备能隙(bandgap)的特性也打败石墨烯(graphene)。
