铁电随机存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种利用铁电材料的极化强度与外加电场之间的非线性关系来实现数据存储的随机存取存储器。当加置磁场时，铁电材料中的晶体就会产生极化，即使在撤除磁场后，也能保持电极状态，从而实现二进制信息“1”和“0”的存储。这种非易失性存储器结合了动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问速度与只读存储器（ROM）的数据保留能力。 FRAM的主要材料是铁电薄膜，如PZT（铅锆钛酸盐）和SBT等钙钛矿材料。这些材料在电学性能上表现为电滞回线，使得FRA
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