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本文使用传统的陶瓷工艺，研究了侧面高阻釉对压敏防雷芯片电性能的影响。结果表明：高阻釉使芯片的均匀性得以提高、缺陷减少；提高样品的8/20μs通流能力；在1000mA工频电流作用下，芯片的熔穿点位于芯片中部铜电极区，利于热脱离机构动作，从而提高芯片的暂态过电压耐受能力。
